0
英寸
晶圆工艺
全链条量产能力
0
Gbps
单通道速率
行业一流水平
0
GHz
调制带宽
远超传统硅光
0
V
半波电压
低半波电压

基于8英寸薄膜铌酸锂晶圆工艺

掌握全球稀缺的基于8英寸薄膜铌酸锂晶圆研发工艺方案,较传统小尺寸产品方案具有显著成本优势

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基于8英寸薄膜铌酸锂晶圆工艺

应用领域

基于薄膜铌酸锂平台的高性能光子芯片解决方案,积极布局多个前沿科技领域

光互连

光互连

AI 算力 CPO 1.6T-3.2T 低功耗
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光传输

光传输

相干通信 骨干网 海底光缆 超低损耗
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光计算

光计算

AI 推理 飞秒响应 矩阵运算 低延迟
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微波光子

微波光子

5G/6G 相控阵雷达 射频处理 宽带集成
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光纤传感

光纤传感

激光雷达 光纤陀螺仪 光学微腔 自动驾驶
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量子信息

量子信息

量子密钥分发 纠缠光源 光量子回路 频率转换
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产品中心

积极布局高性能、低功耗、高集成度的薄膜铌酸锂光子芯片全系列产品

基于8英寸薄膜铌酸锂晶圆工艺

全链条工艺贯通,支持大规模量产,成本较传统小尺寸方案显著降低,适配超高速光模块需求。

薄膜铌酸锂强度调制器

应用场景丰富,其性能可达到半波电压3V,带宽110GHz,插入损耗 4-5dB。

新闻资讯

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